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論文

Comparison of 80keV D $^{+}$ ion implantation with thermal D $_{2}$ doping in silica by FTIR and ESR spectroscopy

佐伯正克; 大野新一; 立川圓造; 東直人*; 宮崎哲郎*; 笛木賢二*

J.Am.Ceram.Soc., 68(3), p.151 - 155, 1985/00

https://doi.org/10.1111/j.1151-2916.1985.tb09655.x

被引用回数：8 パーセンタイル：61.05(Materials Science, Ceramics)

80keVD $^{+}$ (D $_{2}$ $^{+}$ ,D $_{3}$ $^{+}$ )イオン注入又はD $_{2}$ (D $_{2}$ O)を熱的に導入したシリカ中でのD原子の挙動をFT-IR及びESRスペクトロスコピーで調べた。80keVDイオンはシリカ中でOD結合を形成する。熱的に導入した重水素もOD基を形成する。重水素化したシリカを77Kで線照射すると、シリカ中に存在するOH結合と同様に、OD結合も切断され、H及びD原子を生ずる。熱的に導入したOD結合の切断率はOH結合の場合とほぼ同じであったが、Dイオン注入により生じたOD結合の切断率は非常に低かった。しかし、Dイオン注入したシリカを773Kでアニール後に測定すると切断率は著しく増加することが分かった。これらの結果はDイオン自身が作った損傷が線エネルギーの伝播を阻害する結果、OD結合の切断率を低下させているものと考えられる。

論文

Electrical conductivity of polycrystalline Li $_{2}$ SiO $_{3}$ and -LiAlO $_{2}$

大野英雄; 小西哲之

J.Am.Ceram.Soc., 67(6), p.418 - 419, 1984/00

https://doi.org/10.1111/j.1151-2916.1984.tb19727.x

被引用回数：31 パーセンタイル：84.73(Materials Science, Ceramics)

最近リチウムを含む酸化物あるいは窒化物系化合物は、リチウムイオン導電性の良い電解質材料として注目を集めており、常温作動の可能な固体リチウム電池あるいは、リチウム同位体分離、回収などへの応用を考えた研究が始められている。本論文では、耐水性の比較的良いLi $_{2}$ SiO $_{3}$ および-LiAlO $_{2}$ について交流二端子法を用い、そのイオン伝導度を1000 $^{circ}$ Cまで測定した。いづれにおいても、固有欠陥領域と不純物欠陥領域が観測され、不純物欠陥領域でのリチウムイオンの拡散に伴う活性化エネルギーは、核磁気共鳴法による格子-スピン緩和時間(T $_{1}$ )の測定から求めた活性化エネルギーと良い一致を示した。

論文

Mechanism and kinetics for the formation of uranium mononitride by the reaction of uranium dioxide with carbon and nitrogen

室村忠純; 田川博章

J.Am.Ceram.Soc., 61(1-2), p.30 - 35, 1978/02

https://doi.org/10.1111/j.1151-2916.1978.tb09223.x

被引用回数：22

UO $_{2}$ +2C+1/2NzによるUNの生成反応を1420 $^{circ}$ C~1750 $^{circ}$ Cの範囲でしらべた。生成する UN相の格子総数は、反応中極小と極大を経て純UNのそれになる。またUN相の組成は反応時間に伴い変化した。反応は試料の表面から進行する。反応は1次の反応速度式に従って進み活性化エネルギーは83Kcal/molであった。反応は次の4段階に分かれて進むことがわかった。第1段階;UO $_{2}$ からU(N,C,O)の生成、第2段階;U(N,C,O)からU(N,C)の生成、第3段階;U(N,C)へCの固溶UNo $_{8}$ Co $_{2}$ の生成、第4段階;UNo $_{8}$ Co $_{2}$ と残留Uo $_{2}$ ,Cの反応、純UNの生成。格子定数の極小は第2、3段階の間で生じ、極大は第3、4段階の間で生じる。第1~4段階のうち特に第4段階の進行は遅く、生成UNの純度を低下させることが判明した。極大点の組成UNo $_{8}$ Co $_{2}$ はU-C-N系の状態図から容易に説明できる。